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Samsung 980 250 GB
Warenbestand: Neu
Samsung 980 250 GB / SSD / M.2 NVMe PCI-E 3.0 / TLC / R: 2900 MBit/s / W: 1300 MBit/s / IOPS: 320.000 und 230.000 / MTBF 1,5 MHz / 5 Jahre
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Samsung 980 250 GB

Intern SSD / Kapazität 250 GB / Sequentielles Lesen und Schreiben von 2900/1300 MB/s / Zufälliges Lesen und Schreiben von 320000/230000 IOPS / Chips TLC / 3D TLC / Spezifikationen NVMe / Formatieren Sie M.2 - 80 mm / Schnittstelle M.2 PCI-E NVMe Gen3 / TRIM / PCB / MTBF 1500000 Stunden / Garantie 60 Monate
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Code: 92452610
Hersteller: SAMSUNG Garantie: 60 Monate P/N: MZ-V8V250BW
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Das Produkt ist auch in anderen Varianten erhältlich

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Produktbeschreibung

Samsung 980 250GB NVMe PCIe Gen 3 M.2 SSD

Kompakte NVMe-SSD für schnelle PCs und Laptops

Die Samsung 980 250GB M.2 (2280) SSD liefert schnelle und zuverlässige Leistung für Desktops und Laptops. Mit einer PCIe Gen 3.0 x4 Schnittstelle und NVMe™ 1.4 Protokoll erreicht sie sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2.900 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 1.300 MB/s. Die zufällige Leistung erreicht bis zu 230.000 IOPS beim Lesen und 320.000 IOPS beim Schreiben (QD32). Die SSD nutzt die Samsung V-NAND 3-Bit MLC-Technologie, den Pablo-Controller und HMB (Host Memory Buffer) für eine schnelle Reaktion ohne dedizierten DRAM. Sie bietet hohe Zuverlässigkeit mit einer MTBF von 1,5 Millionen Stunden und einer Stoßfestigkeit von bis zu 1.500 G/0,5 ms. Er unterstützt erweiterte Funktionen wie TRIM, S.M.A.R.T., Automatic Garbage Collection und 256-Bit-AES-Verschlüsselung (Klasse 0), TCG/Opal und IEEE1667.


Sequentielles Lesen: bis zu 2.900 MB/s

Sequentielles Schreiben: Bis zu 1.300 MB/s

Wichtigste Parameter

  • Kapazität: 250 GB
  • Format: M.2 (2280)
  • Schnittstelle: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe™ 1.4
  • Sequentielle Lesegeschwindigkeit: bis zu 2.900 MB/s
  • Sequentielles Schreiben: bis zu 1.300 MB/s
  • Zufälliges Lesen (4 KB, QD32): bis zu 230K IOPS
  • Zufälliges Schreiben (4 KB, QD32): bis zu 320K IOPS
  • Zufälliges Lesen (4 KB, QD1): bis zu 17K IOPS
  • Zufälliges Schreiben (4 KB, QD1): bis zu 53K IOPS
  • Technologie: Samsung V-NAND 3-Bit MLC
  • Steuerung: Samsung Pablo
  • Puffer: HMB (Host-Speicherpuffer)
  • MTBF: 1,5 Millionen Stunden
  • Unterstützung für TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection
  • AES 256bit, TCG/Opal, IEEE1667
  • Leistungsaufnahme: durchschnittlich 3,7 W, maximal 5,6 W
  • Leistungsaufnahme im Leerlauf: max. 45 mW
  • Abmessungen: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
  • Gewicht: max. 8 g

Geeignet für

Schnelles Aufrüsten von Desktops und Laptops, schnelles Laden von Systemen, Anwendungen und Spielen, Arbeiten mit anspruchsvollen Programmen und zuverlässiges Speichern von Daten bei geringem Stromverbrauch und hoher Lebensdauer.



Technische Parameter

Marke
Marke SAMSUNG
Bestimmung und Art
Ausführung Intern
Bestimmung und Typ
Typ   SSD
Bestimmung und Art
Verwendung   Intern - Computer , Intern - Notizbuch
Bezeichnung und Typ
Garantie [Monate] 60
Kapazität
Festplattenkapazität [GB]   250
Grundlegende Spezifikationen
Farbe   Schwarz
Grundlegende Spezifikation
Format   M.2 - 80 mm
Schnittstelle   M.2 PCI-E NVMe Gen3
Geschwindigkeiten
SSD-Sequentielles Lesen [MB/s]   2900
SSD-Zufallslesen [IOPS]   320000
SSD-Sequentielles Schreiben [MB/s]   1300
SSD-Zufallsschreiben [IOPS]   230000
Erweiterte Spezifikationen
Funktionen   TRIM
Material   PCB
Standardformatierung   Keine Formatierung
Schnittstellenspezifikationen NVMe
Art der NAND-Speicher TLC / 3D TLC
Verschlüsselung   Hardware (AES 256-Bit)
Zuverlässigkeit (MTBF) [Stunden] 1500000
Warenzustand
Warenzustand Einfach neu


Technische Parameter

Technische Parameter

Marke
Marke SAMSUNG
Bestimmung und Art
Ausführung Intern
Bestimmung und Typ
Typ   SSD
Bestimmung und Art
Verwendung   Intern - Computer , Intern - Notizbuch
Bezeichnung und Typ
Garantie [Monate] 60
Kapazität
Festplattenkapazität [GB]   250
Grundlegende Spezifikationen
Farbe   Schwarz
Grundlegende Spezifikation
Format   M.2 - 80 mm
Schnittstelle   M.2 PCI-E NVMe Gen3
Geschwindigkeiten
SSD-Sequentielles Lesen [MB/s]   2900
SSD-Zufallslesen [IOPS]   320000
SSD-Sequentielles Schreiben [MB/s]   1300
SSD-Zufallsschreiben [IOPS]   230000
Erweiterte Spezifikationen
Funktionen   TRIM
Material   PCB
Standardformatierung   Keine Formatierung
Schnittstellenspezifikationen NVMe
Art der NAND-Speicher TLC / 3D TLC
Verschlüsselung   Hardware (AES 256-Bit)
Zuverlässigkeit (MTBF) [Stunden] 1500000
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